艾諾斯華達蓄電池NPV120AH規格及參數說(shuō)明

艾諾斯華達蓄電池NPV120AH規格及參數說(shuō)明

產(chǎn)品特點(diǎn) ：

■免維護：

·采用獨特的氣體再化合技術(shù)（GAS RECOMBINATION），不必定期補液維護，減少用戶(hù)使用的后顧之憂(yōu)。

■安全可靠性高：

·采用全自動(dòng)的安全閥（VRLA），能防止氣體被吸入蓄電池影響其性能，也可防止因充電等所產(chǎn)生的氣體造成內壓異常而損壞蓄電池。全密閉蓄電池在正常浮充下不會(huì )有電解液及酸霧排出。采用自主技術(shù)的蓄電池托盤(pán)與蓄電池配套使用，確保蓄電池組使用更加安全。

■使用壽命長(cháng)：

·在20℃環(huán)境下，小型密封電池浮充壽命可達3～5年，FM固定型密封電池浮充壽命可達8～10年，FML系列電池浮充壽命可達10年，FMH系列電池浮充壽命可達10年，GFM系列電池浮充壽命可達15年。

■自放電率低：

·采用特種鉛鈣多元合金，對隔板、電解液及各生產(chǎn)工序的雜質(zhì)進(jìn)行嚴格控制，在20℃的環(huán)境下，KOKO蓄電池在6個(gè)月內不必補充電能即可正常使用。

■導電能力強

·采用銅芯鍍銀端子及特別設計，保證電氣性能。

■適應環(huán)境能力強：

·可在-20℃～+50℃的環(huán)境溫度下使用，適用于沙漠、高原性氣候。可用于防暴區的特殊電源。

■方向性強：

·特別隔膜（AGM）牢固吸附電解液使之不流動(dòng)。電池無(wú)論立放或臥放均不會(huì )泄露，保證了正常使用。

■綠色無(wú)污染：

·靜音、且無(wú)污染物排出。蓄電池房無(wú)需用耐酸防腐措施，可與電子儀器等設備同置一室。

■全新電池具有更長(cháng)的使用壽命及深循環(huán)特性

·采用鉛錫多元特殊正極合金，比傳統的鉛鈣合金耐腐性更強，循環(huán)壽命更優(yōu)越。

電池安裝注意事項

1、 因該電池系濕荷電態(tài)出廠(chǎng)，在運輸、安裝過(guò)程中，必須小心搬運，防止短路。

2、 由于電池組件的電壓較高，存在危險，在裝卸導電連線(xiàn)時(shí)，應使用帶絕緣包扎的工具;安裝或搬運電池時(shí)，要戴絕緣手套、圍裙和防護眼鏡;電池在搬運過(guò)程中，防止碰撞沖擊，不得扭動(dòng)端柱和安全排氣閥。嚴禁將工具、雜物或其它導電物品放在電池上。

3、 臟污的接線(xiàn)端子或連接不牢均可能引起電池打火，要保持接線(xiàn)端子連接處的清潔，并擰緊專(zhuān)用連接電纜（或銅排），使扭矩達到不同連接端子的規定值。操作時(shí)不得對端子產(chǎn)生非緊固所必須的其它應力。

4、 電池之間、電池組之間以及電池組與電源設備之間的連接應合理方便、電壓降盡量小。不同規格、不同批次、不同廠(chǎng)家的蓄電池不能混用。安裝末端連接件和接通電池系統前，應認真檢查電池系統的總電壓和正、負極性連接是否正確，電池間連接是否牢固。

5、 電池安裝過(guò)程中要避免電池短接或接地。蓄電池組與充電器或負載連接時(shí)，應將電池組中一個(gè)端子導電連線(xiàn)斷開(kāi)，充電器或負載電路開(kāi)關(guān)應位于“斷開(kāi)”位置，以防止短路，并保證連接正確，蓄電池的正極與充電器的正極連接，負極與負極連接。

6、 電池外殼不能使用有機溶劑清洗，不能使用二氧化碳滅火器撲滅電池火災，應配備專(zhuān)用干粉滅火器具。

7、 蓄電池是濕荷電態(tài)出廠(chǎng)，安裝使用前請逐只檢查單體電池的開(kāi)路電壓，正常情況下應不低于2.08V/單體。若低于此值，需補充電后再使用。

8、 電池安裝使用前，請逐只檢查每只電池安全閥是否牢固，若有松動(dòng)，應立即旋緊。

9、 與單體電池連接的系統可能有高電壓，安裝時(shí)應注意避免危險。

　芯片產(chǎn)業(yè)鏈分為IC設計、IC制造、IC封測三大環(huán)節。現在自主技術(shù)逐步解決了IC設計，比如龍芯，海光，華為鯤鵬等。在IC制造環(huán)節，近些年來(lái)也有長(cháng)足進(jìn)步，已經(jīng)擠進(jìn)了頭部玩家俱樂(lè )部，但仍然只是在底部徘徊。具體來(lái)說(shuō)，IC制造領(lǐng)域關(guān)鍵的設備是光刻機，目前基本被荷蘭ASML、日本尼康和佳能、中國上海微電子把持。其中，ASML壟斷了高端領(lǐng)域幾乎的市場(chǎng)，其產(chǎn)品高已經(jīng)可以實(shí)現2nm制程，中低端市場(chǎng)則屬于日本的尼康和佳能，上海微電子的光刻機目前僅能實(shí)現90nm工藝制程，到2021年才能推出28nm制程，差距之大可見(jiàn)一斑。
　　
　　在IC封測環(huán)節，目前我國的發(fā)展較快，據相關(guān)分析顯示，中國大陸IC封測廠(chǎng)商已可量產(chǎn)系統級封裝(SiP)、扇出型封裝(Fan-out)、覆晶封裝(FlipChip；FC)以及硅穿孔(TSV)等先進(jìn)封裝技術(shù)。受惠艾諾斯華達蓄電池NPV120AH規格及參數說(shuō)明于自主可控政策，以及5G等新興應用對電子設備功能更多元、性能更高需求推動(dòng)，中國的芯片IC封測企業(yè)近年來(lái)在技術(shù)和營(yíng)收方面也都出現了可喜的發(fā)展趨勢。客觀(guān)來(lái)說(shuō)，中國的自主可控芯片已經(jīng)初具雛形，產(chǎn)業(yè)鏈正在逐步完備。但與美國相比，差距仍然很大。