全自動(dòng)晶圓刻蝕機在半導體刻蝕機臺對晶圓進(jìn)行干法刻蝕的過(guò)程中，由于晶圓邊緣的er(etch rate，刻蝕速率)比中心處的er快，為了**晶圓刻蝕的均勻性，會(huì )在機臺的內部設置聚焦環(huán)(focus ring)，聚焦環(huán)被安裝在反應離子蝕刻室中晶片周?chē)钠脚_上，以保護晶圓的邊緣，降低晶圓邊緣區域的刻蝕速率，**晶圓表面刻蝕的均勻性，如圖1所示出的刻蝕機臺內部腔體結構中聚焦環(huán)1的位置，注入氣體4經(jīng)過(guò)分流器3注入腔體中對晶圓2進(jìn)行刻蝕制程的聚焦環(huán)1也隨之損耗，晶圓2邊緣刻蝕速率較快，同樣地，加快了聚焦環(huán)1的消耗，使用一段時(shí)間后，需要機臺及時(shí)進(jìn)行pm，以更換新的聚焦環(huán)，這樣一來(lái)縮短了mtbc，影響了機臺的產(chǎn)能。

全自動(dòng)晶圓刻蝕機特點(diǎn)：

1.真空腔規格: 材質(zhì)316不銹鋼 L270mm*W280mm*H200mm

2.電極：平板氣浴電極，材質(zhì)6061-T6鋁合金    功率電極：1    接地電極：1

3. 電極尺寸：230mm *230mm（*大可處理產(chǎn)品尺寸，可處理8寸晶圓）

4. 全自動(dòng)晶圓刻蝕機頻率：13.56MHz

5. 功率：0-300W連續可調，可在設備運行中隨時(shí)調整參數。

6. 氣體控制：MFC質(zhì)量**計， 0-500ml 2路氣體

7. 真空度測量?jì)x器： 2色顯示式高精度數字式壓力開(kāi)關(guān)（SMC）

8. 全自動(dòng)晶圓刻蝕機控制方式：7寸工業(yè)控制觸摸屏，全手動(dòng)控制和全自動(dòng)控制兩種控制方式

9. 控制軟件功能：界面顯示實(shí)時(shí)工作狀態(tài)

10.設備規格尺寸：長(cháng)600mm 寬600mm 高700mm

11. 全自動(dòng)晶圓刻蝕機電極板配置：配備3個(gè)卡槽位（接地電極），極板間距離可調整，可按需求調整極板位置