DDR3與DDR2的差異

      數據傳輸速率的差異是DDR3與DDR2=顯著(zhù)的區別，這部分上文已有描述，我們來(lái)看看其他方面的不同。

      在供電方面，DDR3的工作電壓降低至1.5V，實(shí)際上JEDEC標準規定1.575V為DDR3的安全工作電壓。標準也規定內存條所能經(jīng)受的安全供電電壓必須大于1.975V，當然，在這個(gè)電壓下內存條可能已經(jīng)不能正常工作但還不至于損壞。

         在芯片級DDR3引入了異步Reset信號，該信號主要提供兩方面的功能，其一是可以簡(jiǎn)化內存芯片上電后的初始化過(guò)程，其二是當內存系統進(jìn)入一旦進(jìn)入未知或不可控狀態(tài)后可以直接Reset而無(wú)需掉電重啟。

        在接口方面，以普通的Un-Buffer內存條為例，DDR3與DDR2均為240個(gè)pin腳，尺寸一致但防呆槽的位置不同，由于工作電壓不同二者在電氣特性上也是互不兼容的。

         在系統設計方面DDR3與DDR2的區別在于DDR3將時(shí)鐘、地址及控制信號線(xiàn)的終端電阻從計算機主板移至內存條上，這樣一來(lái)在主板上將不需要任何端接電阻。為了盡可能減小信號反射，在內存條上包括時(shí)鐘線(xiàn)在內的所有控制線(xiàn)均采用Fly-by拓撲結構。也是因為Fly-by的走線(xiàn)結構致使控制信號線(xiàn)到達每顆內存顆粒的長(cháng)度不同從而導致信號到達時(shí)間不一致。這種情況將會(huì )影響內存的讀寫(xiě)過(guò)程，例如在讀操作時(shí)，由于從內存控制器發(fā)出的讀命令傳送到每顆內存芯片的時(shí)間點(diǎn)不同，將導致每顆內存芯片在不同的時(shí)間向控制器發(fā)送數據。為了消除這種影響，需要在對內存進(jìn)行讀寫(xiě)等操作時(shí)對時(shí)間做補償，這部分工作將由內存控制器完成。DDR3總線(xiàn)的系統框架如下圖所示，其中紅線(xiàn)代表DQ、DM以及差分DQS信號線(xiàn)，黑線(xiàn)代表時(shí)鐘、地址及控制信號線(xiàn)，T代表相應的端接電阻。