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該解決方案可以替代現有的FRAM，MRAM和BBSRAM的方案，其具有SRAM高速讀寫(xiě)，可無(wú)限次擦寫(xiě)的優(yōu)點(diǎn)，斷電后，也可將數據長(cháng)期保留；適合既需要高速或高頻次反復存儲數據，又需要在斷電后能將數據保留的應用場(chǎng)景設備。
也可用于快速配置系統，利于系統快速啟動(dòng)和快速恢復;性能遠優(yōu)于FRAM，MRAM和BBSRAM，可取代現有的FRAM，MRAM，BBSRAM等多種NVRAM，提供更好的性能，相對同類(lèi)型NVSRAM的競爭者，在速度和功耗上均有較大優(yōu)勢，等多種重要應用提供數據保障！