晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。

它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。

按關(guān)斷、導通及控制方式分類(lèi)：晶閘管按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。

按引腳和極性分類(lèi)：晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。

晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

晶閘管按電流容量可分為大、中和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。

晶閘管在工業(yè)中的應用越來(lái)越廣泛，隨著(zhù)行業(yè)的應用范圍增大。晶閘管的作用也越來(lái)越全面。有時(shí)候，晶閘管在使用過(guò)程中會(huì )造成一些傷害。在使用過(guò)程中，晶閘管對過(guò)電壓是很敏感的。過(guò)電流同樣對晶閘管有極大的損壞作用。

通常過(guò)電壓均具有較高的頻率，常用電容作為吸收元件，為防止振蕩，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側、直流側，或并接在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間。吸收電路選用無(wú)感電容，接線(xiàn)應盡量短。

晶閘管過(guò)電流保護方法常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；不能用來(lái)保護晶閘管。快速熔斷器由銀制熔絲埋于石英沙內，熔斷時(shí)間極短，可以用來(lái)保護晶閘管。

產(chǎn)品晶閘管出口俄羅斯，做為電子產(chǎn)品需要按海關(guān)聯(lián)盟EAC 020電磁指令申請證書(shū)后可銷(xiāo)售使用。