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在2005年,一個(gè)制造廠(chǎng)(通常稱(chēng)為半導體工廠(chǎng),常簡(jiǎn)稱(chēng)fab,指fabrication facility)建設費用要超過(guò)10億美元,因為大部分操作是自動(dòng)化的。
制造過(guò)程:芯片制作完整過(guò)程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個(gè)環(huán)節,其中晶片制作過(guò)程尤為的復雜。
是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓,晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著(zhù)是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。
晶圓越薄,生產(chǎn)的成本越低,但對工藝就要求的越高。
晶圓涂膜,晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。
晶圓光刻顯影、蝕刻。
是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。
烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。
光線(xiàn)透過(guò)一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實(shí)現曝光,激發(fā)光化學(xué)反應。
對曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤,即所謂的曝光后烘烤,后烘烤使得光化學(xué)反應更充分。
*后,把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,對曝光圖形顯影。
顯影后,掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。
涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的,曝光是在光刻機中完成的。
勻膠顯影機和光刻機一般都是聯(lián)機作業(yè)的,晶圓通過(guò)機械手在各單元和機器之間傳送。
整個(gè)曝光顯影系統是封閉的,晶圓不直接暴露在周?chē)h(huán)境中,以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學(xué)反應的影響